铪
铪元素也用于最新的intel45纳米处理器。由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能减少厚度以持续改善晶体管效能,处理器厂商均采用二氧化硅做为制作栅极电介质的材料。当英特尔导入65纳米制造工艺时,虽已全力将二氧化硅栅极电介质厚度降低至1.2纳米,相当于5层原子,但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时,耗电和散热难度亦会同时增加,产生电流浪费和不必要的热能,因此若继续采用时下材料,进一步减少厚度,栅极电介质的漏电情况势将会明显攀升,令缩小晶体管技术遭遇极限。为解决此关键问题,英特尔正规划改用较厚的高K材料(铪元素为基础的物质)作为栅极电介质,取代二氧化硅,此举也成功使漏电量降低10倍以上。另与上一代65纳米技术相较,英特尔的45纳米制程令晶体管密度提升近2倍,得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积,此外,晶体管开关动作所需电力更低,耗电量减少近30%,内部连接线 (interconnects) 采用铜线搭配低k电介质,顺利提升效能并降低耗电量,开关动作速度约加快 20%。
铪 | ||||
名称 | 分子式 | 纯度 | 状态 | 规格 |
高纯铪 | Hf | 3N~5 | 靶材、颗粒、粉末、锭、棒状、片 | 按要求定制 |
化合物 | ||||
名称 | 分子式 | 纯度 | 状态 | 规格 |
二氧化铪 | HfO2 | 3N~5N | 靶材、颗粒 | 按要求定制 |
二硼化铪 | HfB2 | 3N~5N | 靶材、颗粒 | 按要求定制 |
碳化铪 | HfC | 3N~5N | 靶材、颗粒 | 按要求定制 |
氮化铪 | HfN | 3N~5N | 靶材、颗粒 | 按要求定制 |
合金 | ||||
名称 | 分子式 | 纯度 | 状态 | 规格 |
钛铪合金 | TiHf | 3N~5N | 靶材、锭、颗粒 | 按要求定制 |
锌铪合金 | ZnHf | 3N~5N | 靶材、锭、颗粒 | 按要求定制 |
钒铪合金 | VHf | 3N~5N | 靶材、锭、颗粒 | 按要求定制 |
镍铪合金 | NiHf | 3N~5N | 靶材、锭、颗粒 | 按要求定制 |
钛锌钒铪 | TiZnVHf | 3N~5N | 靶材、锭、颗粒 | 按要求定制 |