铪元素也用于最新的intel45纳米处理器。由于二氧化硅(SiO2)具有易制性 (Manufacturability),且能减少厚度以持续改善晶体管效能,处理器厂商均采用二氧化硅做为制作栅极电介质的材料。当英特尔导入65纳米制造工艺时,虽已全力将二氧化硅栅极电介质厚度降低至1.2纳米,相当于5层原子,但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时,耗电和散热难度亦会同时增加,产生电流浪费和不必要的热能,因此若继续采用时下材料,进一步减少厚度,栅极电介质的漏电情况势将会明显攀升,令缩小晶体管技术遭遇极限。为解决此关键问题,英特尔正规划改用较厚的高K材料(铪元素为基础的物质)作为栅极电介质,取代二氧化硅,此举也成功使漏电量降低10倍以上。另与上一代65纳米技术相较,英特尔的45纳米制程令晶体管密度提升近2倍,得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积,此外,晶体管开关动作所需电力更低,耗电量减少近30%,内部连接线 (interconnects) 采用铜线搭配低k电介质,顺利提升效能并降低耗电量,开关动作速度约加快 20%。

名称 分子式 纯度 状态 规格
高纯铪 Hf 3N~5 靶材、颗粒、粉末、锭、棒状、片 按要求定制
化合物
名称 分子式 纯度 状态 规格
二氧化铪 HfO2 3N~5N 靶材、颗粒 按要求定制
二硼化铪 HfB2 3N~5N 靶材、颗粒 按要求定制
碳化铪 HfC 3N~5N 靶材、颗粒 按要求定制
氮化铪 HfN 3N~5N 靶材、颗粒 按要求定制
合金
名称 分子式 纯度 状态 规格
钛铪合金 TiHf 3N~5N 靶材、锭、颗粒 按要求定制
锌铪合金 ZnHf 3N~5N 靶材、锭、颗粒 按要求定制
钒铪合金 VHf 3N~5N 靶材、锭、颗粒 按要求定制
镍铪合金 NiHf 3N~5N 靶材、锭、颗粒 按要求定制
钛锌钒铪 TiZnVHf 3N~5N 靶材、锭、颗粒 按要求定制